2SC5707-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 330MHz
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 118.51 грн |
| 5+ | 91.05 грн |
| 10+ | 79.96 грн |
| 19+ | 50.67 грн |
| 51+ | 48.29 грн |
| 500+ | 46.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5707-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SC5707-TL-E за ціною від 33.67 грн до 145.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Polarisation: bipolar Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1W Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 330MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 3061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V |
на замовлення 3912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SC5707-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
2SC5707-TL-E Код товару: 211444
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2SC5707-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |