2SC5824T100Q Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5824T100Q Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SC5824T100Q за ціною від 12.58 грн до 70.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5824T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5824T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5824T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SC5824T100Q | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 3A |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Виробник : ROHM |
SOT89 06+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |

