Технічний опис 2SC5865 TL Q ROHM
Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TSMT3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SC5865 TL Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SC5865TLQ | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5865TLQ | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SC5865TLQ |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC5865TLQ |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.



