2SC5866TLQ

2SC5866TLQ Rohm Semiconductor


2sc5866tlq-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC5866TLQ за ціною від 4.75 грн до 54.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 45579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
883+13.86 грн
1240+9.87 грн
1294+9.46 грн
3000+8.49 грн
6000+5.63 грн
25000+5.05 грн
40000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 29468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
766+15.97 грн
795+15.40 грн
1000+14.90 грн
2500+13.94 грн
5000+12.56 грн
10000+11.76 грн
25000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 766
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
591+20.73 грн
612+19.98 грн
1000+19.33 грн
2500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 591
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Виробник : ROHM Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.95 грн
10+34.74 грн
100+20.14 грн
250+20.07 грн
500+15.59 грн
1000+12.53 грн
3000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Виробник : ROHM ROHM-S-A0004682854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.62 грн
25+33.55 грн
100+23.35 грн
500+15.15 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 7059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.06 грн
10+32.56 грн
100+20.96 грн
500+14.97 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5866tlq-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5866tlq-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.