2SC5866TLQ Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSMT, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC5866TLQ за ціною від 8.62 грн до 56.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC5866TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 29468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5866TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5866TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 45579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5866TLQ | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A |
на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5866TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5866TLQ | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSMT Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|