Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5876T106Q
2SC5876T106Q

2SC5876T106Q Rohm Semiconductor

2sc5876t106q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
427+33.12 грн
459+30.88 грн
503+28.16 грн
589+23.19 грн
1000+17.47 грн
2000+15.66 грн
3000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876T106Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: UMT3, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC5876T106Q за ціною від 12.67 грн до 51.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5876T106Q 2SC5876T106Q Rohm Semiconductor 2sc5876t106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.59 грн
100+19.73 грн
500+14.10 грн
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106Q 2SC5876T106Q ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohm-s-a0001071406-1.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106Q ROHM 2sc5876t106q-e.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106Q 2sc5876t106q-e.pdf
2SC5876T106Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+30.59 грн
100+19.73 грн
500+14.10 грн
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106Q rohm semiconductor_rohm-s-a0001071406-1.pdf
2SC5876T106Q
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106Q 2sc5876t106q-e.pdf
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.