Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5876T106R
2SC5876T106R

2SC5876T106R Rohm Semiconductor

2sc5876t106q-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 136888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+28.51 грн
459+26.57 грн
503+24.24 грн
589+19.95 грн
1000+15.03 грн
2000+13.48 грн
6000+12.61 грн
12000+11.91 грн
24000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876T106R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SC5876T106R за ціною від 9.36 грн до 57.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5876T106R 2SC5876T106R Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876t106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.24 грн
11+30.16 грн
100+19.44 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106R 2SC5876T106R Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohm-s-a0001071406-1.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.15 грн
10+34.97 грн
100+19.74 грн
500+15.09 грн
1000+13.57 грн
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106R 2SC5876T106R Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876t106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.