Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5876T106R
2SC5876T106R

2SC5876T106R Rohm Semiconductor

2sc5876t106q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 136888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
427+33.12 грн
459+30.88 грн
503+28.16 грн
589+23.19 грн
1000+17.47 грн
2000+15.66 грн
6000+14.65 грн
12000+13.84 грн
24000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876T106R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: UMT3, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SC5876T106R за ціною від 12.02 грн до 48.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5876T106R 2SC5876T106R Rohm Semiconductor 2sc5876t106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.82 грн
11+29.03 грн
100+18.72 грн
500+13.37 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106R 2SC5876T106R ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohm-s-a0001071406-1.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106R 2sc5876t106q-e.pdf
2SC5876T106R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.82 грн
11+29.03 грн
100+18.72 грн
500+13.37 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106R rohm semiconductor_rohm-s-a0001071406-1.pdf
2SC5876T106R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.