Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5876U3HZGT106Q
2SC5876U3HZGT106Q

2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SC5876U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.48 грн
6000+9.22 грн
9000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC5876U3HZGT106Q за ціною від 9.09 грн до 59.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5876U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.23 грн
12+27.19 грн
100+17.41 грн
500+12.38 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5876U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+50.47 грн
10+30.95 грн
100+17.23 грн
500+13.09 грн
1000+11.68 грн
3000+9.98 грн
6000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q ROHM 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q ROHM 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+14.21 грн
1048+13.74 грн
2500+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.98 грн
22+36.45 грн
100+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q datasheet?p=2SC5876U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5876U3HZGT106Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.23 грн
12+27.19 грн
100+17.41 грн
500+12.38 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q datasheet?p=2SC5876U3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5876U3HZGT106Q
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.47 грн
10+30.95 грн
100+17.23 грн
500+13.09 грн
1000+11.68 грн
3000+9.98 грн
6000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf
2SC5876U3HZGT106Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf
2SC5876U3HZGT106Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1013+14.21 грн
1048+13.74 грн
2500+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.98 грн
22+36.45 грн
100+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.