2SC5876U3HZGT106Q

2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor


2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.08 грн
6000+9.75 грн
9000+9.28 грн
15000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC5876U3HZGT106Q за ціною від 7.84 грн до 49.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : ROHM 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.22 грн
49+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.67 грн
11+28.72 грн
100+18.42 грн
500+13.09 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : ROHM Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.87 грн
11+31.29 грн
100+13.35 грн
1000+11.61 грн
3000+9.14 грн
9000+8.05 грн
24000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : ROHM 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf 2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+13.61 грн
928+13.12 грн
1000+12.69 грн
2500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf 2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf 2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
653+18.66 грн
715+17.04 грн
834+14.61 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 653
В кошику  од. на суму  грн.