2SC5964-TD-E ON Semiconductor
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 11.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5964-TD-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SC5964-TD-E за ціною від 11.90 грн до 58.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC5964-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5964-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5964-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5964-TD-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SC5964-TD-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5964-TD-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
на замовлення 5658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SC5964-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 18595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | Виробник : SANYO |
SOT89 |
на замовлення 208000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
2SC5964-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SC5964-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SC5964-TD-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |