Продукція > ONSEMI > 2SC5964-TD-E
2SC5964-TD-E

2SC5964-TD-E onsemi

2sa2125-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.46 грн
2000+13.50 грн
3000+12.80 грн
5000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5964-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SC5964-TD-E за ціною від 15.52 грн до 55.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.26 грн
2000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.26 грн
2000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E onsemi 2sa2125-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 380MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+33.44 грн
100+21.63 грн
500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E onsemi 2sa2125-d.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ONSEMI 2sa2125-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E ONSEMI 2sa2125-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E SANYO 2sa2125-d.pdf SOT89
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
816+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.26 грн
2000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.26 грн
2000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 380MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.53 грн
10+33.44 грн
100+21.63 грн
500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SC5964-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5964-TD-E 2sa2125-d.pdf
Виробник: SANYO
SOT89
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.