2SC6017-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 10A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Description: TRANS NPN 50V 10A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.06 грн |
| 10+ | 55.26 грн |
| 100+ | 36.56 грн |
| 500+ | 26.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6017-E onsemi
Description: TRANS NPN 50V 10A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 950 mW.
Інші пропозиції 2SC6017-E за ціною від 29.71 грн до 29.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC6017-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| 2SC6017-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6017-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 52366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
2SC6017-E Код товару: 107502
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||
 |
2SC6017-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товару немає в наявності |