2SC6017-TL-E

2SC6017-TL-E ON Semiconductor


en8275-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6017-TL-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 10A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 950 mW.

Інші пропозиції 2SC6017-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-E onsemi EN8275_D-2310865.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-E ON Semiconductor EN8275-D.PDF
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-E EN8275_D-2310865.pdf
2SC6017-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6017-TL-E EN8275-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.