Технічний опис 2SC6017-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 10A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 950 mW.
Інші пропозиції 2SC6017-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SC6017-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC6017-TL-E | ON Semiconductor |
|
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC6017-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SC6017-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



