Продукція > ONSEMI > 2SC6082-EPN-1E

2SC6082-EPN-1E onsemi

ENA0279_D-2311288.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.09 грн
10+ 92.66 грн
100+ 63.8 грн
500+ 54.07 грн
750+ 43.15 грн
3000+ 40.62 грн
5250+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6082-EPN-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 15A TO220F-3SG, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V, Frequency - Transition: 195MHz, Supplier Device Package: TO-220F-3SG, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SC6082-EPN-1E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC6082-EPN-1E Виробник : ON Semiconductor 2021ena0279-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW
товар відсутній
2SC6082-EPN-1E Виробник : ON Semiconductor 2021ena0279-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW
товар відсутній
2SC6082-EPN-1E 2SC6082-EPN-1E Виробник : onsemi ena0279jp-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 15A TO220F-3SG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3SG
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній