Продукція > ONSEMI > 2SC6096-TD-E
2SC6096-TD-E

2SC6096-TD-E onsemi

ena0434-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6096-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SC6096-TD-E за ціною від 16.03 грн до 95.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ena0434-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.97 грн
500+28.42 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.96 грн
100+28.77 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ENA0434_D-1804098.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.69 грн
10+50.55 грн
100+28.69 грн
500+22.22 грн
1000+20.39 грн
2000+18.07 грн
5000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ena0434-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.99 грн
14+59.16 грн
100+38.97 грн
500+28.42 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.97 грн
500+28.42 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.79 грн
10+43.96 грн
100+28.77 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ENA0434_D-1804098.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.69 грн
10+50.55 грн
100+28.69 грн
500+22.22 грн
1000+20.39 грн
2000+18.07 грн
5000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.99 грн
14+59.16 грн
100+38.97 грн
500+28.42 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.