Продукція > ONSEMI > 2SC6096-TD-E
2SC6096-TD-E

2SC6096-TD-E onsemi

ENA0434-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+22.79 грн
2000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6096-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SC6096-TD-E за ціною від 20.95 грн до 85.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ENA0434-D.PDF Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.18 грн
10+47.88 грн
100+31.37 грн
500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ENA0434-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 110679 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+85.13 грн
10+52.58 грн
100+29.95 грн
500+23.20 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ENA0434-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ENA0434-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ENA0434-D.PDF
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.18 грн
10+47.88 грн
100+31.37 грн
500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ENA0434-D.PDF
2SC6096-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 110679 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.13 грн
10+52.58 грн
100+29.95 грн
500+23.20 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ENA0434-D.PDF
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ENA0434-D.PDF
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.