Продукція > ONSEMI > 2SC6097-E

2SC6097-E onsemi

Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SC6097-E onsemi

Description: TRANS NPN 60V 3A TP, Packaging: Bag, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 390MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC6097-E

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SC6097-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2SC6097-E	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 60V 3A TP Packaging: Bag Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.