Продукція > ONSEMI > 2SC6097-E
2SC6097-E

2SC6097-E onsemi

2SC6097_D-2309487.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6097-E onsemi

Description: TRANS NPN 60V 3A TP, Packaging: Bag, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 390MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC6097-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC6097-E 2SC6097-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E 2SC6097-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E 2sc6097-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.