2SC6099-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6099-E onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2SC6099-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC6099-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SC6099-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)