2SC6099-E

2SC6099-E onsemi


ena0435-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1110+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 1110
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC6099-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 2A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SC6099-E за ціною від 24.95 грн до 24.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC6099-E 2SC6099-E Виробник : ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SC6099-E 2SC6099-E Виробник : ON Semiconductor ENA0435-D-86779.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SC6099-E 2SC6099-E Виробник : ON Semiconductor 1108ena0435-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SC6099-E 2SC6099-E Виробник : onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній