2SCR293PHZGT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR293PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR293PHZGT100 за ціною від 14.52 грн до 63.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR293PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR293PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR293PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR293PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR293PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 7653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR293PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR293PHZGT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 30V |
на замовлення 3136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|