2SCR293PHZGT100

2SCR293PHZGT100 Rohm Semiconductor


datasheet?p=2SCR293PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR293PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR293PHZGT100 за ціною від 14.10 грн до 62.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr293phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+27.30 грн
467+26.20 грн
500+25.25 грн
1000+23.56 грн
2500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr293phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+27.30 грн
467+26.20 грн
500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : ROHM 2scr293phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.88 грн
500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr293phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
373+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 373
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR293PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.92 грн
10+31.94 грн
100+22.19 грн
500+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR293PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 30V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.09 грн
10+45.21 грн
100+26.85 грн
500+20.66 грн
1000+18.65 грн
2000+15.07 грн
5000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR293PHZGT100 2SCR293PHZGT100 Виробник : ROHM 2scr293phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.17 грн
18+46.61 грн
100+31.88 грн
500+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.