Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR346PT100P
2SCR346PT100P

2SCR346PT100P Rohm Semiconductor

2scr346pt100p-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+34.28 грн
541+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR346PT100P за ціною від 31.91 грн до 58.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.49 грн
428+33.11 грн
500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P ROHM Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P ROHM Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2scr346pt100p-e.pdf
2SCR346PT100P
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
411+34.49 грн
428+33.11 грн
500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2scr346pt100p-e.pdf
2SCR346PT100P
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
285+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P
2SCR346PT100P
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P
2SCR346PT100P
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2scr346pt100p-e.pdf
2SCR346PT100P
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2scr346pt100p-e.pdf
2SCR346PT100P
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P
2SCR346PT100P
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2scr346pt100p-e.pdf
2SCR346PT100P
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR346PT100P 2scr346pt100p-e.pdf
2SCR346PT100P
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.