Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR372P5T100Q
2SCR372P5T100Q

2SCR372P5T100Q Rohm Semiconductor

3764510136370212scr372p5t100q-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+30.28 грн
420+29.07 грн
500+28.02 грн
1000+26.13 грн
2500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR372P5T100Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR372P5T100Q за ціною від 14.64 грн до 77.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 3764510136370212scr372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
217+56.42 грн
444+27.48 грн
485+25.20 грн
487+24.20 грн
598+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.65 грн
10+41.37 грн
100+24.72 грн
500+19.57 грн
1000+17.88 грн
2000+15.67 грн
5000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 3764510136370212scr372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.97 грн
431+28.31 грн
473+25.83 грн
475+24.80 грн
583+18.71 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM 2scr372p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.83 грн
20+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.99 грн
10+46.52 грн
100+30.38 грн
500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM 2scr372p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR 2scr372p5t100q-e.pdf 2SCR372P5T100Q NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.