Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR372P5T100Q
2SCR372P5T100Q

2SCR372P5T100Q Rohm Semiconductor

3764510136370212scr372p5t100q-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
403+30.87 грн
420+29.63 грн
500+28.56 грн
1000+26.64 грн
2500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 403
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR372P5T100Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR372P5T100Q за ціною від 14.89 грн до 78.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM 2scr372p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.59 грн
21+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 3764510136370212scr372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
217+57.50 грн
444+28.01 грн
485+25.68 грн
487+24.66 грн
598+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 3764510136370212scr372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+59.09 грн
431+28.86 грн
473+26.32 грн
475+25.28 грн
583+19.07 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.70 грн
10+44.52 грн
100+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.51 грн
10+48.09 грн
100+27.39 грн
500+21.10 грн
1000+19.03 грн
2000+16.50 грн
5000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM 2scr372p5t100q-e.pdf Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100Q Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR 2scr372p5t100q-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 0.7A
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 120...270
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.