2SCR372P5T100R Rohm Semiconductor


2scr372p5t100q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR372P5T100R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 220MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SCR372P5T100R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR372P5T100R 2SCR372P5T100R Rohm Semiconductor 2scr372p5t100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR372P5T100R 2scr372p5t100q-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.