2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1557+ | 9.09 грн |
| 1563+ | 9.05 грн |
| 1921+ | 7.36 грн |
| 2055+ | 6.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR502E3HZGTL за ціною від 7.11 грн до 30.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR502E3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SCR502E3HZGTL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor |
на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SCR502E3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SCR502E3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR502E3HZGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 573+ | 24.69 грн |
| 595+ | 23.79 грн |
| 1000+ | 23.02 грн |
| 2500+ | 21.54 грн |
| 2SCR502E3HZGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.22 грн |
| 17+ | 17.91 грн |
| 100+ | 11.36 грн |
| 500+ | 7.98 грн |
| 1000+ | 7.11 грн |
| 2SCR502E3HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SCR502E3HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR502E3HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





