
2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1557+ | 7.82 грн |
1563+ | 7.79 грн |
1921+ | 6.34 грн |
2055+ | 5.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR502E3HZGTL за ціною від 6.24 грн до 41.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SCR502E3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR502E3HZGTL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR502E3HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR502E3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2SCR502E3HZGTL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR502E3HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |