2SCR502E3TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.15 грн |
| 26+ | 11.49 грн |
| 100+ | 7.17 грн |
| 500+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR502E3TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SCR502E3TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor |
на замовлення 5651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
2SCR502E3TL | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2SCR502E3TL | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR502E3TL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 445 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR502E3TL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SCR502E3TL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR502E3TL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR502E3TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



