Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR502EBTL
2SCR502EBTL

2SCR502EBTL Rohm Semiconductor

2sar502u3t106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 47395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4156+3.40 грн
4167+3.39 грн
4886+2.89 грн
5155+2.65 грн
6000+2.30 грн
12000+2.20 грн
24000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 4156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR502EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 2SCR502EBTL за ціною від 3.56 грн до 15.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Rohm Semiconductor 2sar502u3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.40 грн
1555+9.10 грн
2500+8.83 грн
5000+8.28 грн
10000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Rohm Semiconductor 2sar502u3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.40 грн
1555+9.10 грн
2500+8.83 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
32+9.40 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2SCR502EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2SCR502EBTL ROHM 2scr502ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2SCR502EBTL ROHM 2scr502ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2sar502u3t106-e.pdf
2SCR502EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1505+9.40 грн
1555+9.10 грн
2500+8.83 грн
5000+8.28 грн
10000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2sar502u3t106-e.pdf
2SCR502EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1505+9.40 грн
1555+9.10 грн
2500+8.83 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL datasheet?p=2SCR502EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR502EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.50 грн
32+9.40 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL datasheet?p=2SCR502EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR502EBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2scr502ebtl-e.pdf
2SCR502EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502EBTL 2scr502ebtl-e.pdf
2SCR502EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.