Продукція > ROHM > 2SCR502U3HZGT106
2SCR502U3HZGT106

2SCR502U3HZGT106 ROHM


2scr502u3hzgt106-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.55 грн
500+7.26 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR502U3HZGT106 ROHM

Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 2SCR502U3HZGT106 за ціною від 5.22 грн до 27.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : ROHM 2scr502u3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.62 грн
44+18.94 грн
100+9.55 грн
500+7.26 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
16+19.27 грн
100+11.54 грн
500+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 3648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.91 грн
16+21.44 грн
100+10.35 грн
1000+7.49 грн
3000+6.75 грн
9000+5.50 грн
24000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
610+19.97 грн
633+19.25 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 610
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.