Продукція > ROHM > 2SCR502U3HZGT106
2SCR502U3HZGT106

2SCR502U3HZGT106 ROHM


2scr502u3hzgt106-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.09 грн
500+10.32 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR502U3HZGT106 ROHM

Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SCR502U3HZGT106 за ціною від 5.91 грн до 38.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.03 грн
16+18.98 грн
100+11.38 грн
500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.16 грн
16+20.55 грн
100+11.61 грн
500+8.55 грн
1000+8.00 грн
3000+6.81 грн
6000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : ROHM 2scr502u3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.05 грн
35+23.20 грн
100+15.09 грн
500+10.32 грн
1000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
610+22.89 грн
633+22.07 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 610
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.