2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2104+ | 6.63 грн |
| 2110+ | 6.61 грн |
| 2363+ | 5.91 грн |
| 2455+ | 5.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SCR502U3T106 за ціною від 5.08 грн до 30.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR502U3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR502U3T106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR502U3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR502U3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR502U3T106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR502U3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR502U3T106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3 |
на замовлення 5089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR502U3T106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |