2SCR502U3T106

2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor


2scr502u3t106-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2104+5.79 грн
2110+5.77 грн
2363+5.15 грн
2455+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 2104
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SCR502U3T106 за ціною від 4.24 грн до 33.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Виробник : ROHM 2scr502e3-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.69 грн
500+6.33 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr502u3t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
731+16.66 грн
758+16.06 грн
1000+15.54 грн
2500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 731
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Виробник : ROHM 2scr502e3-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.83 грн
42+20.71 грн
100+8.69 грн
500+6.33 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.23 грн
18+18.05 грн
100+11.39 грн
500+7.98 грн
1000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.51 грн
18+20.10 грн
100+11.02 грн
500+8.21 грн
1000+7.29 грн
3000+6.46 грн
6000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.