Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR502U3T106
2SCR502U3T106

2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor

2scr502u3t106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2104+6.84 грн
2110+6.82 грн
2363+6.09 грн
2455+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 2104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2104 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR502U3T106 за ціною від 5.40 грн до 32.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2scr502e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+8.41 грн
1769+8.14 грн
2500+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2scr502u3t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+19.70 грн
758+18.99 грн
1000+18.38 грн
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2scr502e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+24.32 грн
946+15.23 грн
1280+11.25 грн
1473+9.43 грн
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.63 грн
18+17.12 грн
100+10.81 грн
500+7.57 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+32.61 грн
16+19.56 грн
100+10.72 грн
500+7.99 грн
1000+7.10 грн
3000+6.29 грн
6000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 ROHM 2scr502e3-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 ROHM 2scr502e3-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1713+8.41 грн
1769+8.14 грн
2500+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502u3t106-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
731+19.70 грн
758+18.99 грн
1000+18.38 грн
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
592+24.32 грн
946+15.23 грн
1280+11.25 грн
1473+9.43 грн
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.63 грн
18+17.12 грн
100+10.81 грн
500+7.57 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR502U3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.61 грн
16+19.56 грн
100+10.72 грн
500+7.99 грн
1000+7.10 грн
3000+6.29 грн
6000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.