Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR502U3T106
2SCR502U3T106

2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor

2scr502u3t106-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2104+6.72 грн
2110+6.70 грн
2363+5.99 грн
2455+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 2104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SCR502U3T106 за ціною від 6.70 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2scr502e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+8.26 грн
1769+8.00 грн
2500+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2scr502u3t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+19.36 грн
758+18.66 грн
1000+18.06 грн
2500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor 2scr502e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+23.89 грн
946+14.96 грн
1280+11.05 грн
1473+9.27 грн
3000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.01 грн
100+10.74 грн
500+7.52 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 ROHM 2scr502e3-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2SCR502U3T106 ROHM 2scr502e3-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1713+8.26 грн
1769+8.00 грн
2500+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502u3t106-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
731+19.36 грн
758+18.66 грн
1000+18.06 грн
2500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
592+23.89 грн
946+14.96 грн
1280+11.05 грн
1473+9.27 грн
3000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
18+17.01 грн
100+10.74 грн
500+7.52 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 datasheet?p=2SCR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR502U3T106
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502U3T106 2scr502e3-e.pdf
2SCR502U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.