Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR512P5T100
2SCR512P5T100

2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor

2scr512p5t100-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
684+20.69 грн
710+19.94 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR512P5T100 за ціною від 12.19 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
13+23.95 грн
100+16.64 грн
500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 ROHM datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 ROHM datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor 2scr512p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor 2scr512p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR512P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
13+23.95 грн
100+16.64 грн
500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR512P5T100
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR512P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR512P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2scr512p5t100-e.pdf
2SCR512P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2scr512p5t100-e.pdf
2SCR512P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.