Продукція > ROHM > 2SCR512P5T100
2SCR512P5T100

2SCR512P5T100 ROHM

datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.04 грн
500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR512P5T100 ROHM

Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR512P5T100 за ціною від 9.29 грн до 46.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr512p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
684+18.10 грн
710+17.45 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 684
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
13+25.24 грн
100+17.54 грн
500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.72 грн
33+26.00 грн
100+18.04 грн
500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.85 грн
11+32.64 грн
100+19.02 грн
500+14.95 грн
1000+12.23 грн
2000+9.66 грн
10000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr512p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr512p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr512p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100 2SCR512P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.