2SCR513P5T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 11.43 грн |
| 2000+ | 9.94 грн |
| 3000+ | 9.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR513P5T100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2SCR513P5T100 за ціною від 8.28 грн до 47.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 13367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2SCR513P5T100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2SCR513P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 934+ | 15.19 грн |
| 2SCR513P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 13367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 397+ | 35.79 грн |
| 624+ | 22.73 грн |
| 833+ | 17.03 грн |
| 1000+ | 14.53 грн |
| 2000+ | 11.97 грн |
| 3000+ | 10.81 грн |
| 5000+ | 10.34 грн |
| 7000+ | 10.03 грн |
| 10000+ | 8.98 грн |
| 2SCR513P5T100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.71 грн |
| 12+ | 25.28 грн |
| 100+ | 16.21 грн |
| 500+ | 11.52 грн |
| 2SCR513P5T100 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.12 грн |
| 10+ | 34.69 грн |
| 100+ | 19.33 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
| 1000+ | 10.56 грн |
| 2000+ | 9.32 грн |
| 5000+ | 8.28 грн |



