2SCR513PHZGT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 841+ | 14.48 грн |
| 847+ | 14.38 грн |
| 942+ | 12.93 грн |
| 1000+ | 11.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR513PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR513PHZGT100 за ціною від 12.18 грн до 65.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR513PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR513PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR513PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR513PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR513PHZGT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 50V 1A, Middle Power Transistor for Automotive |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR513PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|