Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR513RHZGTL
2SCR513RHZGTL

2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor

2scr513rhzgtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1070+13.23 грн
1181+11.98 грн
1227+11.53 грн
2000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 1070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SCR513RHZGTL за ціною від 12.99 грн до 82.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR513RHZGTL 2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor 2scr513rhzgtl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+20.43 грн
697+20.32 грн
859+16.47 грн
1000+14.96 грн
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor 2scr513rhzgtl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.49 грн
404+35.03 грн
500+33.77 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2SCR513RHZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2SCR513RHZGTL ROHM 2scr513rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2SCR513RHZGTL ROHM 2scr513rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.92 грн
10+50.07 грн
100+32.80 грн
500+23.83 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2scr513rhzgtl-e.pdf
2SCR513RHZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
693+20.43 грн
697+20.32 грн
859+16.47 грн
1000+14.96 грн
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2scr513rhzgtl-e.pdf
2SCR513RHZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
388+36.49 грн
404+35.03 грн
500+33.77 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL datasheet?p=2SCR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR513RHZGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2scr513rhzgtl-e.pdf
2SCR513RHZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL 2scr513rhzgtl-e.pdf
2SCR513RHZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTL datasheet?p=2SCR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.92 грн
10+50.07 грн
100+32.80 грн
500+23.83 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.