2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1070+ | 11.38 грн |
| 1181+ | 10.31 грн |
| 1227+ | 9.92 грн |
| 2000+ | 9.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR513RHZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SCR513RHZGTL за ціною від 11.18 грн до 86.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR513RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR513RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR513RHZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR513RHZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS |
на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR513RHZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |