2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR514PHZGT100 за ціною від 13.28 грн до 67.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR514PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR514PHZGT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor for Automotive |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |