2SCR514PHZGT100 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR514PHZGT100 ROHM
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR514PHZGT100 за ціною від 12.59 грн до 70.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR514PHZGT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor |
на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR514PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |