Продукція > ROHM > 2SCR514PHZGT100
2SCR514PHZGT100

2SCR514PHZGT100 ROHM

2scr514phzgt100-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR514PHZGT100 ROHM

Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR514PHZGT100 за ціною від 12.50 грн до 70.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr514phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.35 грн
100+23.62 грн
500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+41.12 грн
100+23.20 грн
500+17.88 грн
1000+17.81 грн
2000+16.71 грн
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 ROHM 2scr514phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.31 грн
19+43.89 грн
100+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr514phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr514phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2scr514phzgt100-e.pdf
2SCR514PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
285+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR514PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.58 грн
10+36.35 грн
100+23.62 грн
500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR514PHZGT100
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.17 грн
10+41.12 грн
100+23.20 грн
500+17.88 грн
1000+17.81 грн
2000+16.71 грн
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2scr514phzgt100-e.pdf
2SCR514PHZGT100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+70.31 грн
19+43.89 грн
100+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2scr514phzgt100-e.pdf
2SCR514PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PHZGT100 2scr514phzgt100-e.pdf
2SCR514PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.