2SCR514PT100 Rohm Semiconductor
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 15.44 грн |
| 806+ | 15.34 грн |
| 953+ | 12.97 грн |
| 1009+ | 11.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR514PT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: MPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SCR514PT100 за ціною від 22.26 грн до 42.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR514PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SCR514PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2SCR514PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
2SCR514PT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 700mA Transistor |
товару немає в наявності |

