на замовлення 10123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 953+ | 13.00 грн |
| 960+ | 12.90 грн |
| 1133+ | 10.93 грн |
| 1200+ | 9.95 грн |
| 2000+ | 9.16 грн |
| 3000+ | 8.44 грн |
| 6000+ | 8.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR514RTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR514RTL за ціною від 7.55 грн до 63.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR514RTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR514RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR514RTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR514RTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR514RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR514RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
2SCR514RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |



