на замовлення 10985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7390+ | 1.68 грн |
| 7463+ | 1.67 грн |
| 8065+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR522MT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR522MT2L за ціною від 2.41 грн до 22.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR522MT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 7384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR522MT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR522MT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR522MT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 5174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SCR522MT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR522MT2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
2SCR522MT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |