2SCR522UBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7463+ | 1.64 грн |
| 7500+ | 1.63 грн |
| 8288+ | 1.48 грн |
| 8572+ | 1.38 грн |
| 12000+ | 1.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR522UBTL Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: UMT3F, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 2SCR522UBTL за ціною від 5.55 грн до 5.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR522UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SCR522UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
|
|
2SCR522UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
2SCR522UBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 20V 0.2A |
товару немає в наявності |