Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR523EBTL
2SCR523EBTL

2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

2scr523mt2l-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5282+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 5282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5282 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416FL, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR523EBTL за ціною від 3.03 грн до 29.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 9181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.41 грн
4412+3.31 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.41 грн
4412+3.31 грн
5000+3.22 грн
10000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1478+9.87 грн
1745+8.36 грн
2014+7.24 грн
3000+5.63 грн
6000+5.16 грн
9000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 1478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.66 грн
23+13.24 грн
100+8.28 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-416FL, 50V 100mA, GP Amplification
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+25.24 грн
21+15.08 грн
100+8.22 грн
500+6.07 грн
1000+5.41 грн
3000+4.74 грн
6000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.72 грн
47+16.83 грн
100+9.87 грн
500+8.06 грн
1000+6.47 грн
3000+5.00 грн
6000+4.95 грн
9000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM 2scr523ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM 2scr523ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523mt2l-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 9181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4274+3.41 грн
4412+3.31 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523mt2l-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4274+3.41 грн
4412+3.31 грн
5000+3.22 грн
10000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523mt2l-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1478+9.87 грн
1745+8.36 грн
2014+7.24 грн
3000+5.63 грн
6000+5.16 грн
9000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 1478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.66 грн
23+13.24 грн
100+8.28 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-416FL, 50V 100mA, GP Amplification
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.24 грн
21+15.08 грн
100+8.22 грн
500+6.07 грн
1000+5.41 грн
3000+4.74 грн
6000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523mt2l-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.72 грн
47+16.83 грн
100+9.87 грн
500+8.06 грн
1000+6.47 грн
3000+5.00 грн
6000+4.95 грн
9000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ebtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ebtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.