Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR523EBTL
2SCR523EBTL

2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.93 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SCR523EBTL за ціною від 4.98 грн до 24.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523ubtl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 76440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+6.20 грн
2500+6.02 грн
5000+5.86 грн
10000+5.51 грн
25000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523ubtl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1464+9.66 грн
1676+8.44 грн
1890+7.49 грн
2000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 1464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+13.88 грн
100+8.69 грн
500+6.02 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM 2scr523ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM 2scr523ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ubtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 76440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2280+6.20 грн
2500+6.02 грн
5000+5.86 грн
10000+5.51 грн
25000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ubtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1464+9.66 грн
1676+8.44 грн
1890+7.49 грн
2000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 1464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
22+13.88 грн
100+8.69 грн
500+6.02 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ebtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ebtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.