Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR523EBTL
2SCR523EBTL

2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.94 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SCR523EBTL за ціною від 2.90 грн до 24.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM 2scr523ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.42 грн
500+6.44 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.89 грн
25+12.86 грн
100+5.11 грн
1000+4.63 грн
3000+3.45 грн
9000+3.04 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
22+13.91 грн
100+8.71 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM 2scr523ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.65 грн
54+14.98 грн
100+9.42 грн
500+6.44 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ebtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.42 грн
500+6.44 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.89 грн
25+12.86 грн
100+5.11 грн
1000+4.63 грн
3000+3.45 грн
9000+3.04 грн
24000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523EBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.08 грн
22+13.91 грн
100+8.71 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523EBTL 2scr523ebtl-e.pdf
2SCR523EBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+24.65 грн
54+14.98 грн
100+9.42 грн
500+6.44 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.