2SCR523EBTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.69 грн |
| 1000+ | 2.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR523EBTL ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR523EBTL за ціною від 2.93 грн до 24.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR523EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR523EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 76440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523EBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR523EBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 12704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR523EBTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...560 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Frequency: 350MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR523EBTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...560 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Frequency: 350MHz |
товару немає в наявності |