2SCR523UBTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6173+ | 2.26 грн |
| 7212+ | 1.94 грн |
| 7654+ | 1.82 грн |
| 12000+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR523UBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SCR523UBTL за ціною від 1.74 грн до 13.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR523UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR523UBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR523UBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A |
на замовлення 9939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 30785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523UBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR523UBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SCR523UBTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 350MHz Case: SOT323F Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...560 |
товару немає в наявності |