Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR523UBTL
2SCR523UBTL

2SCR523UBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR523UB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.59 грн
6000+2.23 грн
9000+2.09 грн
15000+1.81 грн
21000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR523UBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SCR523UBTL за ціною від 1.86 грн до 13.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR523UBTL 2SCR523UBTL ROHM 2scr523ubtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL 2SCR523UBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR523UB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A
на замовлення 9939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.48 грн
44+7.30 грн
100+4.00 грн
500+2.90 грн
1000+2.55 грн
3000+2.00 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL 2SCR523UBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR523UB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3F
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL 2SCR523UBTL ROHM 2scr523ubtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.77 грн
99+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL 2scr523ubtl-e.pdf
2SCR523UBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL datasheet?p=2SCR523UB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523UBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A
на замовлення 9939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.48 грн
44+7.30 грн
100+4.00 грн
500+2.90 грн
1000+2.55 грн
3000+2.00 грн
6000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL datasheet?p=2SCR523UB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR523UBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3F
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR523UBTL 2scr523ubtl-e.pdf
2SCR523UBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+13.77 грн
99+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.