Продукція > ROHM > 2SCR533P5T100
2SCR533P5T100

2SCR533P5T100 ROHM


datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.53 грн
500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR533P5T100 ROHM

Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR533P5T100 за ціною від 9.27 грн до 55.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+27.82 грн
100+19.32 грн
500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Виробник : ROHM Semiconductor 2scr533p5t100_e-1872116.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
11+30.88 грн
100+18.76 грн
500+14.64 грн
1000+9.49 грн
2000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr533p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.33 грн
341+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr533p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.33 грн
341+35.83 грн
500+34.54 грн
1000+32.21 грн
2500+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.95 грн
24+34.74 грн
100+22.53 грн
500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 2SCR533P5T100 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.