2SCR542PT100 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 56.73 грн |
| 355+ | 39.90 грн |
| 500+ | 31.86 грн |
| 1000+ | 28.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR542PT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 5A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR542PT100 за ціною від 26.02 грн до 109.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
2SCR542PT100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
2SCR542PT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SCR542PT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 68 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 86 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.34 грн |
| 14+ | 56.45 грн |
| 100+ | 39.71 грн |
| 500+ | 30.57 грн |
| 1000+ | 26.02 грн |
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 211+ | 109.04 грн |
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR542PT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)