2SCR544RTL Rohm Semiconductor
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 892+ | 13.89 грн |
| 899+ | 13.78 грн |
| 997+ | 12.42 грн |
| 1041+ | 11.47 грн |
| 2000+ | 10.52 грн |
| 3000+ | 9.83 грн |
| 6000+ | 9.47 грн |
| 12000+ | 9.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR544RTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2.5A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR544RTL за ціною від 14.95 грн до 80.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR544RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
2SCR544RTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |



