2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 13.77 грн |
| 2000+ | 12.02 грн |
| 3000+ | 11.40 грн |
| 5000+ | 10.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR552P5T100 за ціною від 10.79 грн до 62.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SCR552P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SCR552P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3 |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 128344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |