Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR552P5T100
2SCR552P5T100

2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+13.47 грн
2000+11.76 грн
3000+11.15 грн
5000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR552P5T100 за ціною від 10.98 грн до 63.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor 2scr552p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+19.11 грн
770+18.42 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor 2scr552p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
530+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor 2scr552p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.84 грн
487+29.16 грн
637+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+36.76 грн
100+20.64 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
2000+12.15 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 128344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.35 грн
100+23.55 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 ROHM datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.14 грн
21+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor 2scr552p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 ROHM datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2scr552p5t100-e.pdf
2SCR552P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
742+19.11 грн
770+18.42 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2scr552p5t100-e.pdf
2SCR552P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
530+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2scr552p5t100-e.pdf
2SCR552P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
324+43.84 грн
487+29.16 грн
637+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR552P5T100
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.24 грн
10+36.76 грн
100+20.64 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
2000+12.15 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR552P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 128344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.35 грн
10+36.35 грн
100+23.55 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR552P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+63.14 грн
21+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2scr552p5t100-e.pdf
2SCR552P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR552P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.