2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 13.56 грн |
| 2000+ | 11.85 грн |
| 3000+ | 11.23 грн |
| 5000+ | 10.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR552P5T100 за ціною від 11.06 грн до 63.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR552P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR552P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3 |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 128344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
товару немає в наявності |