Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR554P5T100
2SCR554P5T100

2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.95 грн
2000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 2SCR554P5T100 за ціною від 11.67 грн до 50.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2scr554p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+18.47 грн
795+17.81 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2scr554p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+23.05 грн
637+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2scr554p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.92 грн
516+27.46 грн
684+20.70 грн
1000+17.77 грн
2000+14.67 грн
3000+13.62 грн
5000+12.56 грн
7000+12.22 грн
10000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+30.37 грн
100+19.58 грн
500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 ROHM 2scr554p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2scr554p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 ROHM 2scr554p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2scr554p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
766+18.47 грн
795+17.81 грн
1000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
614+23.05 грн
637+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+42.92 грн
516+27.46 грн
684+20.70 грн
1000+17.77 грн
2000+14.67 грн
3000+13.62 грн
5000+12.56 грн
7000+12.22 грн
10000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.37 грн
10+30.37 грн
100+19.58 грн
500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR554P5T100
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2scr554p5t100-e.pdf
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.