2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 766+ | 15.86 грн |
| 795+ | 15.29 грн |
| 1000+ | 14.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR554P5T100 за ціною від 10.23 грн до 60.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR554P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR554P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SCR554P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SCR554P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3 |
на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR554P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR554P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 5638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SCR554P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
2SCR554P5T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 300MHz Current gain: 120...390 Case: SC62; SOT89 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SCR554P5T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 300MHz Current gain: 120...390 Case: SC62; SOT89 |
товару немає в наявності |