Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR554PHZGT100
2SCR554PHZGT100

2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor

2scr554phzgt100-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
589+24.04 грн
592+23.93 грн
728+19.45 грн
1000+17.50 грн
2000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1.5A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR554PHZGT100 за ціною від 17.52 грн до 51.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr554phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.03 грн
351+40.35 грн
500+38.89 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr554phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.77 грн
284+49.82 грн
287+49.33 грн
394+34.66 грн
439+28.77 грн
692+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 ROHM 2scr554phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 ROHM 2scr554phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr554phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+42.03 грн
351+40.35 грн
500+38.89 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
274+51.77 грн
284+49.82 грн
287+49.33 грн
394+34.66 грн
439+28.77 грн
692+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR554PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR554PHZGT100
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.