Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR562F3TR
2SCR562F3TR

2SCR562F3TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 270MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.15 грн
6000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR562F3TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: HUML2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 270MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR562F3TR за ціною від 22.99 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR Rohm Semiconductor 2scr562f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+48.20 грн
356+39.74 грн
500+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR Rohm Semiconductor 2scr562f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+52.76 грн
100+34.74 грн
500+25.33 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR ROHM datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR Rohm Semiconductor 2scr562f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2SCR562F3TR ROHM datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2scr562f3tr-e.pdf
2SCR562F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
294+48.20 грн
356+39.74 грн
500+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2scr562f3tr-e.pdf
2SCR562F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR562F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 6A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.56 грн
10+52.76 грн
100+34.74 грн
500+25.33 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR562F3TR
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR562F3TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR 2scr562f3tr-e.pdf
2SCR562F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR562F3TR datasheet?p=2SCR562F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR562F3TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.