Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR563F3TR
2SCR563F3TR

2SCR563F3TR Rohm Semiconductor

2scr563f3tr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1443+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR563F3TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6A, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SCR563F3TR за ціною від 27.75 грн до 103.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2scr563f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.34 грн
318+44.49 грн
500+42.88 грн
1000+40.00 грн
2500+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR563F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.53 грн
100+41.50 грн
500+30.47 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2scr563f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.45 грн
202+70.10 грн
278+51.04 грн
500+39.71 грн
1000+33.39 грн
3000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR563F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR ROHM 2scr563f3tr-e.pdf Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR ROHM 2scr563f3tr-e.pdf Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2scr563f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2scr563f3tr-e.pdf
2SCR563F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+46.34 грн
318+44.49 грн
500+42.88 грн
1000+40.00 грн
2500+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR datasheet?p=2SCR563F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR563F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+62.53 грн
100+41.50 грн
500+30.47 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2scr563f3tr-e.pdf
2SCR563F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+103.45 грн
202+70.10 грн
278+51.04 грн
500+39.71 грн
1000+33.39 грн
3000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR datasheet?p=2SCR563F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR563F3TR
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2scr563f3tr-e.pdf
2SCR563F3TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2scr563f3tr-e.pdf
2SCR563F3TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR563F3TR 2scr563f3tr-e.pdf
2SCR563F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.