Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR564F3TR
2SCR564F3TR

2SCR564F3TR Rohm Semiconductor

2scr564f3tr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1443+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 1443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR564F3TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR564F3TR за ціною від 24.81 грн до 95.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR564F3TR 2SCR564F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR564F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR 2SCR564F3TR Rohm Semiconductor 2scr564f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.35 грн
250+59.86 грн
500+57.70 грн
1000+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR 2SCR564F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR564F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.76 грн
100+38.32 грн
500+28.13 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR 2SCR564F3TR ROHM datasheet?p=2SCR564F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR 2SCR564F3TR ROHM 2scr564f3tr-e.pdf Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR datasheet?p=2SCR564F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR564F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR 2scr564f3tr-e.pdf
2SCR564F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.35 грн
250+59.86 грн
500+57.70 грн
1000+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR datasheet?p=2SCR564F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR564F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+57.76 грн
100+38.32 грн
500+28.13 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR datasheet?p=2SCR564F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR564F3TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR564F3TR 2scr564f3tr-e.pdf
2SCR564F3TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.