Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR567F3TR
2SCR567F3TR

2SCR567F3TR Rohm Semiconductor

2scr567f3tr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+52.74 грн
250+50.63 грн
500+48.79 грн
1000+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR567F3TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SCR567F3TR за ціною від 31.12 грн до 106.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR567F3TR 2SCR567F3TR Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.03 грн
500+46.48 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TR 2SCR567F3TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.59 грн
10+63.99 грн
100+42.59 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TR 2SCR567F3TR Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.21 грн
11+81.26 грн
100+59.03 грн
500+46.48 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TR 2SCR567F3TR Виробник : Rohm Semiconductor 2scr567f3tr-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 2.5A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.18 грн
10+75.96 грн
100+51.37 грн
500+43.59 грн
1000+37.21 грн
3000+31.63 грн
9000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR567F3TR 2SCR567F3TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 120V 2.5A HUML2020L3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.