2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.10 грн |
| 5000+ | 20.57 грн |
| 7500+ | 19.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR572D3TL1 за ціною від 18.15 грн до 101.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR572D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR572D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR572D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR572D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR572D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 11869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR572D3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 6069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR572D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR572D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| 2SCR572D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 300MHz Case: DPAK; TO252 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 5A Power dissipation: 10W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...500 |
товару немає в наявності |