Продукція > ROHM > 2SCR573D3TL1
2SCR573D3TL1

2SCR573D3TL1 ROHM


datasheet?p=2SCR573D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.55 грн
500+30.34 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR573D3TL1 ROHM

Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR573D3TL1 за ціною від 17.54 грн до 111.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr573d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
298+43.32 грн
310+41.58 грн
500+40.08 грн
1000+37.38 грн
2500+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr573d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR573D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.43 грн
10+48.38 грн
100+30.45 грн
500+25.28 грн
1000+22.02 грн
2500+20.19 грн
5000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR573D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.74 грн
17+47.10 грн
100+36.55 грн
500+30.34 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR573D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.11 грн
10+59.05 грн
100+39.08 грн
500+28.66 грн
1000+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr573d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+98.73 грн
202+63.96 грн
500+45.41 грн
1000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR573D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 2SCR573D3TL1 NPN SMD transistors
на замовлення 594 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.12 грн
52+22.38 грн
141+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr573d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr573d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR573D3TL1 2SCR573D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR573D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.