Технічний опис 2SCR573D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SCR573D3TL1 за ціною від 25.62 грн до 108.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Power dissipation: 10W Collector current: 3A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 Frequency: 320MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 582 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SCR573D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SCR573D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 298+ | 47.58 грн |
| 310+ | 45.66 грн |
| 500+ | 44.02 грн |
| 1000+ | 41.06 грн |
| 2500+ | 36.90 грн |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 249+ | 56.83 грн |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 10W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Frequency: 320MHz
Polarisation: bipolar
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 10W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Frequency: 320MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 84.83 грн |
| 10+ | 49.58 грн |
| 100+ | 32.92 грн |
| 500+ | 25.62 грн |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 93.91 грн |
| 216+ | 65.71 грн |
| 307+ | 46.11 грн |
| 500+ | 36.77 грн |
| 1000+ | 30.68 грн |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.41 грн |
| 10+ | 59.85 грн |
| 100+ | 39.61 грн |
| 500+ | 29.04 грн |
| 1000+ | 26.42 грн |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 108.43 грн |
| 202+ | 70.25 грн |
| 500+ | 49.88 грн |
| 1000+ | 47.83 грн |
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






