
2SCR573D3TL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
298+ | 40.95 грн |
310+ | 39.30 грн |
500+ | 37.89 грн |
1000+ | 35.34 грн |
2500+ | 31.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR573D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR573D3TL1 за ціною від 16.78 грн до 99.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Frequency: 320MHz |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 10W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 10W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Frequency: 320MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR573D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |