2SCR574D3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.15 грн |
| 5000+ | 24.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR574D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SCR574D3TL1 за ціною від 23.14 грн до 102.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 5614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR574D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 384+ | 36.90 грн |
| 411+ | 34.42 грн |
| 413+ | 34.29 грн |
| 500+ | 27.85 грн |
| 1000+ | 24.41 грн |
| 2000+ | 23.24 грн |
| 2500+ | 23.14 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 324+ | 43.73 грн |
| 337+ | 41.98 грн |
| 500+ | 40.46 грн |
| 1000+ | 37.74 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 271+ | 52.29 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 77.43 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 88.85 грн |
| 245+ | 57.82 грн |
| 329+ | 43.04 грн |
| 500+ | 35.14 грн |
| 1000+ | 29.72 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.29 грн |
| 10+ | 62.23 грн |
| 100+ | 41.20 грн |
| 500+ | 30.20 грн |
| 1000+ | 27.48 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




