2SCR574D3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.21 грн |
| 5000+ | 24.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR574D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SCR574D3TL1 за ціною від 17.81 грн до 109.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SCR574D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SCR574D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 5614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SCR574D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.46 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 324+ | 43.83 грн |
| 337+ | 42.07 грн |
| 500+ | 40.55 грн |
| 1000+ | 37.83 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 183+ | 77.60 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.37 грн |
| 10+ | 47.95 грн |
| 100+ | 30.24 грн |
| 500+ | 25.06 грн |
| 1000+ | 22.44 грн |
| 2500+ | 20.50 грн |
| 5000+ | 17.81 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 160+ | 89.05 грн |
| 245+ | 57.95 грн |
| 329+ | 43.14 грн |
| 500+ | 35.22 грн |
| 1000+ | 29.78 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.52 грн |
| 10+ | 62.37 грн |
| 100+ | 41.29 грн |
| 500+ | 30.27 грн |
| 1000+ | 27.54 грн |
| 2SCR574D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.53 грн |
| 14+ | 59.76 грн |
| 100+ | 39.46 грн |




