Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR579D3TLQ
2SCR579D3TLQ

2SCR579D3TLQ Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.43 грн
10+38.63 грн
25+34.75 грн
100+28.64 грн
250+26.74 грн
500+25.60 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR579D3TLQ Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 101MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR579D3TLQ за ціною від 23.67 грн до 146.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR579D3TLQ 2SCR579D3TLQ ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT Transistor, 2SCR579D3 is a power with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+115.44 грн
10+71.98 грн
100+41.63 грн
500+32.62 грн
1000+29.76 грн
2500+26.61 грн
5000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQ 2SCR579D3TLQ Rohm Semiconductor 2scr579d3tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQ 2SCR579D3TLQ ROHM datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQ datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SCR579D3TLQ
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Transistor, 2SCR579D3 is a power with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.44 грн
10+71.98 грн
100+41.63 грн
500+32.62 грн
1000+29.76 грн
2500+26.61 грн
5000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQ 2scr579d3tlq-e.pdf
2SCR579D3TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR579D3TLQ datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SCR579D3TLQ
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.