2SCR579D3TLQ ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.11 грн |
| 500+ | 35.28 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR579D3TLQ ROHM
Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 101MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SCR579D3TLQ за ціною від 21.23 грн до 115.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SCR579D3TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR579D3TLQ | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SCR579D3TLQ | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 101MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR579D3TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR579D3TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR579D3TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |