Продукція > ROHM > 2SCR582D3FRATL
2SCR582D3FRATL

2SCR582D3FRATL ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.13 грн
500+44.32 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR582D3FRATL ROHM

Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SCR582D3FRATL за ціною від 27.81 грн до 138.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL Виробник : ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.53 грн
10+80.39 грн
100+46.58 грн
500+38.22 грн
1000+33.43 грн
2500+28.34 грн
5000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL Виробник : ROHM Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.08 грн
10+86.94 грн
100+58.13 грн
500+44.32 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.