Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR582D3TL1
2SCR582D3TL1

2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR582D3TL1 за ціною від 44.67 грн до 155.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+77.75 грн
250+74.64 грн
500+71.94 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.76 грн
10+96.19 грн
100+65.17 грн
500+48.68 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+77.75 грн
250+74.64 грн
500+71.94 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.76 грн
10+96.19 грн
100+65.17 грн
500+48.68 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.