Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR582D3TL1
2SCR582D3TL1

2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

2scr582d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
934+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 934 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR582D3TL1 за ціною від 31.28 грн до 149.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
136+43.26 грн
300+36.15 грн
500+35.39 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+116.43 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+116.43 грн
250+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.95 грн
10+104.45 грн
100+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+142.95 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.08 грн
100+62.35 грн
500+46.58 грн
1000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+43.26 грн
300+36.15 грн
500+35.39 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+116.43 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+116.43 грн
250+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.95 грн
10+104.45 грн
100+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+142.95 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.71 грн
10+92.08 грн
100+62.35 грн
500+46.58 грн
1000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.