Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR582D3TL1
2SCR582D3TL1

2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR582D3TL1 за ціною від 34.72 грн до 157.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.14 грн
500+44.87 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+94.47 грн
100+57.30 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
2500+37.76 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.40 грн
100+65.31 грн
500+48.79 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM 2scr582d3tl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.05 грн
10+101.48 грн
100+63.14 грн
500+44.87 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+63.14 грн
500+44.87 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.64 грн
10+94.47 грн
100+57.30 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
2500+37.76 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+156.10 грн
10+96.40 грн
100+65.31 грн
500+48.79 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR582D3TL1 2scr582d3tl-e.pdf
2SCR582D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.05 грн
10+101.48 грн
100+63.14 грн
500+44.87 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.